TGV光電Interposer晶圓采用8英寸晶圓級(jí)制造工藝，通過激光誘導(dǎo)、深硅刻蝕技術(shù)，重布線層（RDL）、微凸點(diǎn)工藝，可最大支持3+2層RDL，實(shí)現(xiàn)110GHz以上布線帶寬；支持LPO、oDSP及相干光通信等多樣化應(yīng)用場景，覆蓋短距互聯(lián)到長距傳輸?shù)男枨螅惶峁?/8/12/16通道標(biāo)準(zhǔn)化方案，兼容主流光芯片（如EML、VCSEL、硅光、鈮酸鋰）與電芯片（如DML、DRV、TIA、DSP）的管腳定義，支持2.5D/3D堆疊封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)光電混合封裝的高度集成化；可集成激光直寫波導(dǎo)與interposer內(nèi)開槽結(jié)構(gòu)，可支持與FAU、MT插芯、MCF等低損耗耦合，實(shí)現(xiàn)高密度的光路扇入扇出；具備低串?dāng)_、高速信號(hào)完整性及超高集成度的優(yōu)勢，可有效解決超高速光引擎封裝的瓶頸問題，成為下一代數(shù)據(jù)中心高速光互連的關(guān)鍵技術(shù)。