通過激光誘導(dǎo)、深硅刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)基于玻璃基的信號(hào)傳輸，利用重布線層（RDL）和微凸點(diǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)110GHz以上布線帶寬，顯著提升了信號(hào)傳輸效率和密度；匹配主流四通道硅光調(diào)制芯片和電驅(qū)動(dòng)芯片，實(shí)現(xiàn)4通道標(biāo)準(zhǔn)化TGV interposer方案，同時(shí)兼容主流硅光芯片與電芯片的管腳定義，支持2.5D/3D堆疊封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)光電混合封裝的高度集成化；片上可集成激光直寫光波導(dǎo)與interposer內(nèi)開槽，實(shí)現(xiàn)低損耗高密度的光路扇入扇出。