通過激光誘導(dǎo)、深硅刻蝕實現(xiàn)基于玻璃基的信號轉(zhuǎn)接，利用重布線層（RDL）和微凸點工藝，實現(xiàn)110GHz以上布線帶寬，顯著提升了信號傳輸效率和密度；匹配主流八通道硅光調(diào)制芯片和電驅(qū)動芯片，實現(xiàn)8通道標(biāo)準(zhǔn)化方案，同時兼容主流硅光芯片與電芯片的管腳定義，實現(xiàn)光電混合封裝的高度集成化；片上可集成激光直寫光波導(dǎo)與interposer內(nèi)開槽，實現(xiàn)低損耗高密度的光路扇入扇出。